新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
转换效率高达 96%,12V转5V同步降压WD5030
F13729801557 | 2025-04-15 15:04:19    阅读:20   发布文章

宽输入电压范围:能在 7V 至 30V 的宽输入电压范围内工作,可适应多种不同电压等级的

供电环境,无论是工业设备中的较高电压输入,还是便携式设备经过初步升压后的电压,

都能良好适配,极大地拓展了应用的灵活性。

高输出能力:可提供高达 15A 的连续输出电流,能够为大功率微控制器、高性能 FPGA

 等对电源需求较大的芯片稳定供电,确保设备的稳定运行。

高效率:转换效率高达 96%,在降低能源损耗的同时,有效减少了设备发热问题,

延长了设备的使用寿命,特别适用于对功耗和散热要求较高的场景。

出色的线路和负载调节能力:采用抖动频率、平均电流模式控制架构,能快速响应负载变化,

保持输出电压稳定。内置的线路补偿功能可自动根据输入电压和负载变化调整输出电压,

确保输出的稳定性。

灵活的输出电压配置:输出电压在 1V 至 25V 范围内可调,通过简单的外部电阻配置,

就能轻松实现所需的输出电压,满足不同应用场景的多样化需求。

高精度输出电压:可将输出电压的误差控制在 ±2% 以内,为对电压精度要求极高的电路

提供稳定可靠的电源。

低导通电阻开关:集成了 3mΩ 的高端和低端功率 MOSFET,有效降低了导通损耗,

进一步提升了效率。

可编程频率:开关频率可通过外部电阻在 85kHz 至 300kHz 之间进行编程,

工程师可根据具体应用需求优化电磁干扰(EMI)和效率。

低功耗设计:在轻负载下自动切换到突发模式操作,降低了功耗,提高了轻负载条件下

的效率,延长了电池供电设备的使用寿命。

多种保护功能:集成了短路保护、热保护和输入过压保护等电路。当芯片温度超过 165°C 时,

热保护功能将关闭芯片,直到温度下降到安全范围;当输入电压超过 38V 时,芯片将暂停运行,确保内部功率 MOSFET 器件免受瞬态电压尖峰的影响。此外,还具备欠压锁定、VFB 短路保护等功能。

自恢复功能:在触发保护功能后能够自动恢复,确保系统在异常情况下快速恢复,提升了系统

的可靠性和可用性。

高集成度:集成了内部环路补偿和软启动功能,显著减少了外部组件数量,降低了设计复杂度

和成本。

封装特性:采用耐热增强型 QFN5*5 封装,具有良好的热性能和小型化特点,适合高密度安装。

应用电路设计

输入电容(CIN):选择适合最大 RMS 电流的低 ESR 输入电容器,以防止大电压瞬变。对于

低输入电压应用,需要足够大的输入电容,以最大程度减少输出负载变化期间的瞬态影响。

输出电容器(COUT):选择取决于最小化电压纹波和负载阶跃瞬变所需的有效串联电阻

(ESR)以及确保控制回路稳定所需的大容量电容。为满足 ESR 和 RMS 电流处理要求,

可能需要并联多个电容器。

电感选择:根据所需的输入和输出电压,选择合适的电感值和工作频率,以确定纹波电流。

建议选择一个约为最大输出电流 40% 的纹波电流,在组件尺寸、效率和操作频率之间进行权衡。

开关频率设置:通过外部电阻在 85kHz 至 300kHz 之间编程设置开关频率。



*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
推荐文章
最近访客